半导体工艺制程越来越复杂，检测设备愈发重要。随摩尔定律的进一步发展，半导体芯片 晶体管密度越来越高，相关产品复杂度及集成度呈现指数级增长。新应用需求驱动了制程微缩 和三维结构的升级，使得工艺步骤大幅提升，成熟制程（以 45nm 为例）工艺步骤数大约需要 430 道，到了先进制程（以 5nm 为例）将会提升至 1250 道，工艺步骤将近提升了 3 倍；结构 上来看包括 GAAFET、MRAM 等新一代的半导体工艺都是越来越复杂

半导体检测试验是一项非常重要的工序，它用于检测半导体产品的质量和可靠性。在半导体产业中，一些常见的半导体检测方法包括电测试、封装测试和可靠性测试等。这些测试方法能够帮助厂商及时发现产品缺陷和故障，以确保半导体产品达到预期的性能和可靠性要求。

电子器件的许多重要参数与电阻率及其分布的均匀性有密切的关系，例如二极管的反向饱和电流，晶 体管的饱和压降和放大倍数 β 等，都直接与硅单晶的电阻率有关。因此器件的电阻率测试已经成为芯片加 工中的重要工序，对其均匀性的控制和准确的测量直接关系将来能否制造出性能更优功率器件。

半导体设备分类由半导体制造工艺衍生而来，从工艺角度看，主要可以分为：光刻、刻蚀、薄膜沉积、质量控制、清洗、CMP、离子注入、氧化等环节。传统的集成电路工艺主要分为前道和后道，随着集成电路行业的不断发展进步，后道封装技术向晶圆级封装发展，从而衍生出先进封装工艺。先进封装工艺指在未切割的晶圆表面通过制程工艺以实现高密度的引脚接触，实现系统级封装以及 2.5/3D 等集成度更高、尺度更小的器件的生产制造。鉴于此，集成电路工艺进一步细分为前道制程、中道先进封装和后道封装测试。