芯片制造过程中会产生颗粒、互联、静电损伤等工艺缺陷。以芯片前道制程为例， 其具体缺陷包括：空气中的分子污染或由环境引起的有机物或无机物颗粒；工艺过 程引起的划痕、裂纹和颗粒、覆盖层缺陷和应力；在从掩模到晶片的图形转移过程 中，由于设计偏差导致的布局和关键尺寸的偏差和变化；原子通过层和半导体散装 材料的扩散等。 随着工艺节点尺寸降低